Tin mới

Mổ bụng Huawei Pura 70 Pro cho thấy rất nhiều bộ phận do Trung Quốc sản xuất

Huawei mới đây đã ra mắt dòng Pura 70 tại Trung Quốc, mở ra chương phát triển tiếp theo sau lệnh trừng phạt của Mỹ. Một cuộc mổ xẻ mới do Reuters, iFixit và TechSearch International thực hiện đã làm sáng tỏ những bộ phận bên trong của Huawei Pura 70 Pro.

huawei_pura_70_pro_teardown_001.jpg (135 KB)

Theo báo cáo, Pura 70 Pro mới chứa nhiều linh kiện có nguồn gốc từ nội địa Trung Quốc hơn bất kỳ điện thoại nào trước đây của Huawei. Tuy nhiên, dòng Pura 70 vẫn thua kém các mẫu điện thoại hàng đầu hiện tại, đặc biệt là về hiệu năng chipset.

huawei_pura_70_pro_teardown_007.jpg (255 KB)

Chip Kirin 9010 được tập đoàn sản xuất bán dẫn SMIC sản xuất bằng tiến trình 7nm, được gọi là N+2. Mặc dù nó có chung các mã nhận dạng tương tự với Kirin 9000S nhưng đây là phiên bản mới hơn. Các chuyên gia trong ngành lưu ý rằng mặc dù chip mới hoạt động tốt hơn một chút nhưng nó vẫn là SoC tiến trình 7nm, kém xa so với chip tốt nhất hiện có trên thị trường.

SMIC dự kiến ​​sẽ tận dụng công nghệ và chuyên môn hiện có của mình để chuyển đổi sang công nghệ 5nm vào cuối năm nay. Tuy nhiên, họ cần thời gian để có thể sản xuất thương mại hàng loạt.

huawei_pura_70_pro_teardown_006.jpg (157 KB)

Điều quan trọng cần lưu ý là ngành công nghiệp bán dẫn Trung Quốc hiện vẫn đang tụt hậu so với TSMC, Samsung, Qualcomm và các công ty khác có quyền truy cập vào máy In thạch bản cực tím EUV do công ty ASML Hà Lan sản xuất. Được biết, TSMC hiện đang làm việc trên tiến trình 2nm tiên tiến.

Kết quả Geekbench cho thấy sự cải thiện hiệu suất của chipset mới chưa đến 10%, nhưng nó vẫn tụt lại phía sau hơn 30% so với Snapdragon 8 Gen 3 trên các smartphone Android mới nhất.

 huawei_pura_70_pro_teardown_004.jpg (99 KB)

Chipset Kirin 9000S so với Kirin 9010

huawei_pura_70_pro_teardown_005.jpg (99 KB)

Chipset Kirin 9010 so với Snapdragon 8 Gen 3

Một trong những thay đổi về mạch tích hợp (IC) đáng chú ý nhất bên trong Pura 70 Pro là bộ nhớ flash NAND 1TB do HiSilicon của Huawei sản xuất. Mặc dù có thể Huawei đã tự sản xuất khuôn NAND, nhưng nhiều khả năng chúng được thiết kế và sản xuất bởi một công ty địa phương khác, còn HiSilicon xử lý bộ điều khiển bộ nhớ và đóng gói chip NAND.

Điều đáng nói là Huawei chỉ cung cấp điện thoại Pura 70 có dung lượng lưu trữ 1TB tại Trung Quốc, trong khi các biến thể có dung lượng 256GB hoặc 512GB phát hành ở thị trường nước ngoài.

huawei_pura_70_pro_teardown_003.jpg (350 KB)

Ảnh thực tế chipset Kirin 9000S và Kirin 9010

RAM 12GB được cung cấp bởi công ty SK Hynix Hàn Quốc cũng bị ảnh hưởng bởi các hạn chế thương mại do Hoa Kỳ áp đặt. Huawei có thể đã dự trữ chip nhớ trước lệnh trừng phạt, nhưng nhu cầu cao đối với các mẫu điện thoại Mate 60 và Pura 70 đang khiến lượng hàng tồn kho này cạn kiệt.

Huawei có thể đang dựa vào CXMT (ChangXin Memory Technologies), một nhà sản xuất DRAM của Trung Quốc gần đây đã sản xuất mô-đun LPDDR5 hoàn toàn nội địa đầu tiên. Tuy nhiên, việc sản xuất DRAM cũng phụ thuộc rất nhiều vào chip do EUV sản xuất để đạt hiệu suất và tiết kiệm điện năng. Điều này đặt ra một thách thức khác cho Huawei và các đối tác trong nước trong nỗ lực cạnh tranh trên thị trường điện thoại thông minh.

huawei_pura_70_pro_teardown_008.jpg (328 KB)

Dòng sản phẩm Huawei Pura 70

Điều đáng ngạc nhiên là cảm biến gia tốc MEMS và con quay hồi chuyển 6 trục có thể được cung cấp bởi công ty Bosch của Đức, trong khi các công ty Trung Quốc có khả năng sản xuất các cảm biến này tại địa phương.

Báo cáo cho thấy Pura 70 sắp trở thành biểu tượng cho khả năng tự cung tự cấp của Trung Quốc. Tuy nhiên, Mỹ và các đồng minh đang theo dõi chặt chẽ sự trỗi dậy của Huawei trong lĩnh vực sản xuất thiết bị và chip, và điều này có thể dẫn đến các lệnh trừng phạt khắc nghiệt hơn. Chẳng hạn, có những lo ngại rằng chính phủ Mỹ có thể thu hồi giấy phép bán chip của Qualcomm và Intel cho Huawei.

Tùng Dương