Samsung sản xuất hàng loạt RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

Chia sẻ
RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 là 2 thành phần có thể xuất hiện lần đầu tiên trên flagship Galaxy S10.
Samsung sản xuất hàng loạt RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10 ảnh 1
Galaxy S10 chắc chắn là flagship được mong đợi nhất năm 2019 của các fan Samsung và sức mạnh của chiếc máy này là thứ được quan tâm nhiều nhất. Sức mạnh đó đến từ RAM LPDDR5 và bộ nhớ UFS 3.0 NAND có thể xuất hiện lần đầu trên Galaxy S10. Theo Ice Universe, Samsung sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt 2 linh kiện cao cấp này trong nửa cuối năm nay.

Bộ nhớ UFS 3.0 có băng thông cao gấp đôi UFS 2.1 đang được phổ biến hiện nay với tốc độ lên đến 23,2Gbps. Nó cũng tiêu thụ ít năng lượng hơn và có thể ứng dụng trong ngành công nghiệp ô tô. Đối với LPDDR5, hiệu suất sẽ tăng 10% và hiệu quả sử dụng năng lượng tăng 15%.

Có nhiều tính năng khác đã được đồn đoán đi kèm với Galaxy S10, có thể kể tới như cảm biến vân tay đặt trong màn hình và công nghệ nhận diện khuôn mặt 3D. Vi xử lý mang tên Exynos 9820 cũng được kỳ vọng sẽ mang lại sức mạnh ấn tượng, vượt trội so với Snapdragon 855 của Qualcomm.

Theo Gizmochina

Hải SN

Tin liên quan

Chia sẻ

Bạn đọc bình luận

Vui lòng nhập tiếng Việt có dấu
Nhập mã bảo mật (*)    Refresh

Cùng chuyên mục