Hầu hết các thiết bị máy tính, smartphone hiện nay đều chạy với DRAM (Dynamic Random Access Memory) làm bộ nhớ chính. Loại bộ nhớ này rất linh hoạt nhưng chỉ lưu trữ thông tin khi thiết bị được bật nguồn với dòng điện chạy qua và cần được làm mới hoặc ghi đè liên tục để giữ lại dữ liệu đó. Trong khi đó, bộ nhớ MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính - là một loại bộ nhớ có thể giữ lại các bit dữ liệu ngay cả khi không có dòng điện chạy qua. Chúng lưu trữ bộ nhớ bằng điện tích từ tính thay vì điện tích như RAM tiêu chuẩn.

MRAM thay đổi mọi thứ và kết hợp lưu trữ dữ liệu và tính toán, cho phép cả hai xảy ra trên cùng một con chip. Về lý thuyết, tốc độ truyền dữ liệu sẽ nhanh hơn vì không cần truyền dữ liệu từ bộ nhớ sang bộ xử lý và ngược lại. Ưu điểm chính của MRAM là sử dụng năng lượng cực thấp nhưng gặp khó khăn trong việc tích hợp vào trong công nghệ hiện đại, khả năng chịu tải thấp. Nhưng Samsung đã làm cho việc đó khả thi nhờ khắc phục vấn đề về điện trở.

Samsung đã chứng minh rằng quy trình tính toán trong bộ nhớ của hãng tạo ra tỷ lệ thành công 93% trong việc nhận dạng khuôn mặt và chính xác 98% trong khả năng nhận dạng chữ số viết tay.

Tiến sĩ Seungchul Jung, tác giả chính của bài báo nghiên cứu của Samsung cho biết “Tính toán trong bộ nhớ tương tự như não, nơi tính toán cũng xảy ra trong mạng lưới ký ức sinh học, hoặc khớp thần kinh - những điểm các tế bào thần kinh tiếp xúc với nhau. Trên thực tế, mặc dù tính toán được thực hiện bởi mạng MRAM của chúng tôi có mục đích khác với tính toán do não thực hiện, nhưng mạng bộ nhớ trạng thái rắn trong tương lai có thể được sử dụng như một nền tảng để bắt chước não bằng cách mô hình hóa kết nối khớp thần kinh của não.”

Theo Gizmochina

Minh Huệ