Samsung giới thiệu Z-SSD 800GB có tốc độ ghi/đọc lên đến 3,2GB/s

Chia sẻ
Z-SSD 800GB của Samsung là sản phẩm đầu tiên sử dụng Z-NAND, có tốc độ đọc/ghi tuần tự là 3,2GB/s và tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên tối đa là 750K và 160K IOPS.

Samsung giới thiệu Z-SSD 800GB có tốc độ ghi/đọc lên đến 3,2GB/s ảnh 1
Vừa mới đây, Samsung đã chính thức đưa ra thông báo giới thiệu ổ cứng cao cấp SZ985 Z-SSD với dung lượng lên đến 800GB. Z-SSD được xây dựng trên bộ nhớ flash Z-NAND mới với công nghệ 3D V-NAND mang lại hiệu năng cao và bộ nhớ cache LPDDR4 DRAM 1,5GB. Z-SSD 800GB được thiết kế mang lại hiệu suất cao, độ trễ thấp, chủ yếu dành cho HPC (High Performance Computing) sử dụng trong hệ thống doanh nghiệp và các siêu máy tính để đáp ứng nhu cầu phát triển nhanh chóng trong AI, dữ liệu lớn và Thị trường IoT.

Z-SSD 800GB có tốc độ đọc nhanh gấp 1,7 lần tại 750K IOPS và độ trễ thấp hơn 5 lần so với ổ SSD dùng giao thức NVMe hàng đầu hiện nay như PM963. Z-SSD 800GB sử dụng form ổ HLHL PCIe 3.0x4. Z-SSD 800GB có tốc độ đọc/ghi tuần tự là 3,2GB/s. Trong khi tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên tối đa lần lượt là 750K và 160K IOPS. Những con số kỹ thuật này nhanh hơn đáng kể so với công nghệ Optane mới nhất của Intel.

Samsung giới thiệu Z-SSD 800GB có tốc độ ghi/đọc lên đến 3,2GB/s ảnh 2
Do độ tin cậy cao, Z-SSD 800GB đảm bảo tối đa 30 ổ ghi mỗi ngày (DWPD) trong 5 năm hoặc tổng cộng 42 petabyte. Điều này có nghĩa là nó có thể lưu trữ tổng cộng khoảng 8,4 triệu thước phim full-HD tương đương 5GB trong khoảng thời gian 5 năm. Độ tin cậy của Z-SSD mới được nhấn mạnh hơn nữa bởi thời gian trung bình giữa các lỗi (MTBF) là hai triệu giờ.

Z-SSD có hai phiên bản là 800GB là 240GB, cả hai sẽ được Samsung công bố tại ISSCC 2018 diễn ra từ ngày 11 đến ngày 15 tháng 2 tại San Francisco. Tuy nhiên, hiện vẫn chưa có thông tin về giá bán của Z-SSD mới này.

Theo Forbes

Sang Smith

Chia sẻ

Bạn đọc bình luận

Vui lòng nhập tiếng Việt có dấu
Nhập mã bảo mật (*)    Refresh

Cùng chuyên mục