Intel và Micron ra mắt bộ nhớ 3D XPoint nhanh gấp 1.000 lần công nghệ NAND

Với bộ nhớ 3D XPoint mà Intel và Micron vừa công bố, công nghệ RAM và lưu trữ SSD trên các thiết bị kỹ thuật số hiện tại sẽ trở thành lỗi thời chỉ trong năm tới.
 
Intel và Micron ra mắt bộ nhớ 3D XPoint nhanh gấp 1.000 lần công nghệ NAND ảnh 1
Intel và Micron vừa công bố một dạng bộ nhớ mới nhanh và rẻ hơn thế hệ bộ nhớ lưu trữ NAND và DRAM hiện tại. Đáng chú ý là công nghệ có tên gọi 3D XPoint này còn có thể thay thế cả hai giải pháp lưu trữ đang thống lĩnh thị trường hiện nay.

Theo Intel và Micro, với cùng kích thước vật lý, bộ nhớ 3D XPoint có dung lượng lưu trữ gấp 10 lần so với công nghệ DRAM. Tức là các nhà sản xuất có thể mở rộng dung lượng RAM cho thiết bị mà không phải bận tâm về việc linh kiện này chiếm dụng quá nhiều không gian.

Xa hơn nữa, loại bộ nhớ mới mà Intel và Micron phát triển trong 10 năm qua có khả năng đạt tốc độ nhanh gấp 1.000 lần so với công nghệ NAND hiện nay đồng thời có khả năng tiếp nhận đến 10 triệu lần ghi dữ liệu. Dự kiến bộ nhớ công nghệ 3D XPoint đầu tiên sẽ được ra mắt vào năm 2016.

Theo BGR

Xuân Thành

Tin liên quan

Bạn đọc bình luận

Vui lòng nhập tiếng Việt có dấu
Nhập mã bảo mật (*)    Refresh

Cùng chuyên mục